Сегодня Samsung Electronics объявила о выпуске первых в индустрии 512 Мбит чипов стандарта DDR-II SDRAM, удовлетворяющих требованиям принятого в марте 2002 года стандарта JEDEC DDR-II.
Новые чипы имеют напряжение питания 1,8 В, скорость обмена данными составляет 533 Mbps, в следующих образцах будет увеличена до 667 Mbps. В полном соответствии со стандартом JEDEC DDR-II, новые 512 Мбит чипы DDR-II SDRAM от Samsung поддерживают отложенный (posted) CAS, дифференциальное стробирование (differential strobe), внешнюю калибровку выходного сигнала (off-chip output driver calibration, OCD), встроенную терминацию (on-die termination, ODT), импульсное прерывание.
Чипы выпускаются в 60-контактном корпусе BGA. Начало массового производства 512 Мбит чипов DDR-II SDRAM намечено Samsung на третий квартал 2003 года.