90 нм техпроцесс от Intel, официально

ПредыдущаяСледующая

Сегодня корпорация Intel официально представила свой новый 90 нм технологический процесс. Стали известны дополнительные данные о самом техпроцессе, сроки и география его внедрения.


Первыми чипами, изготовленными Intel с применением 90 нм процесса, стали представленные в феврале нынешнего года микросхемы SRAM емкостью 52 Мбит. Эти микросхемы насчитывают 330 млн. транзисторов на площади 109 кв. мм. В настоящее время о новом техпроцессе известны следующие данные:

  • Применение CMOS транзисторов с длиной затвора всего 50 нм Тонкий оксидный слой затвора - всего 1,2 нм (менее 5 атомарных слоев в толщину, для сравнения: транзисторы, используемые в производстве процессора Pentium 4, имеют длину затвора 60 нм)
  • Реализация технологии напряженного кремния: в слоях напряженного кремния расстояние между атомами больше, чем в обычном полупроводнике. Итоговый результат – улучшение, по сведениям компании, на 10-20% рабочих характеристик транзисторов при росте затрат на производство всего в 2%.
  • Производство чипов только на 300 мм кремниевых пластинах (рекорд Intel: более 120 млрд. транзисторов на 300 мм пластине)
  • Возможность создавать процессоры с тактовыми частотами более 3 ГГц при уменьшении размера кристалла на 50%
  • Семь слоев медных соединений
  • Новый диэлектрик с низкой диэлектрической проницаемостью – легированный углеродом оксид кремния (CDO). Для формирования нового диэлектрика используется двухступенчатый процесс
  • Современные 193 нм и 248 нм литографические установки
  • В новом процессе будет задействовано около 75% технологического оборудования, применяемого в нынешнем 0,13 мкм процессе на 300 мм пластинах

Новый технологический процесс был разработан на опытном заводе Intel - D1C в Хиллсборо, штат Орегон. 90 нм техпроцесс, как гласит пресс-релиз компании, уже внедрен в массовое производство на заводе D1C и переносится на другие заводы.

К 2003 году Intel планирует реализовать 90 нм процесс на трех заводах, работающих с 300 мм пластинами. Не так давно было объявлено о возобновлении строительства производственного объекта на Fab 24 в Лейкслипе, Ирландия. Этот объект площадью более 1 млн. кв. футов и стоимостью около $2 млрд. изначально предназначен для изготовления компонентов на 300 мм кремниевых пластинах с применением 90 нм процесса.

Одним из первых серийных компонентов, производимых по новой технологии, станет основанный на микроархитектуре NetBurst и планируемый к выпуску во второй половине 2003 года процессор c кодовым названием Prescott.

13 августа 2002 Г.

18:23

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Archos Citee Connect — первый самокат с ОС Android: Электросамокат Archos Citee Connect стоит 500 евро6

Apple получила звание самой инновационной компании 2018 года, не представив ни одного инновационного продукта: Apple назвали самой инновационной компанией текущего года19

Spotify, вероятно, тоже выпустит свою умную акустическую систему: Spotify тоже выйдет на рынок умных АС

Новые слухи утверждают, что iPhone SE 2 представят в июне на WWDC 2018: Смартфону iPhone SE 2 приписывают даже беспроводную зарядку11

Нашла коса на камень. JerryRigEverything протестировал защищённый смартфон CAT S41: CAT S41 выдержал испытания JerryRigEverything1

Начат серийный выпуск SSD Samsung PM1643 объемом 30,72 ТБ: Самые емкие в отрасли SSD Samsung PM1643 предназначены для корпоративного сегмента29

Google тестирует технологию, которая позволит достаточно точно определять местоположение абонента, звонящего в службу спасения: Google хочет, чтобы служба 911 имела точное местоположение звонящего23

Sony работает над технологией искусственного интеллекта, которая позволит улучшить эффективность работы сервисов такси: Sony создаёт ИИ для таксистов3

Игровой смартфон Xiaomi Black Shark получит SoC Snapdragon 845 и 8 ГБ оперативной памяти: Игровой смартфон Xiaomi Black Shark может получить малый объём флэш-памяти7

iXBT TV

  • Обзор экшн-камеры Gmini MagicEye HDS8000 с ненастоящим 4K-видео

  • Обзор многофункционального сетевого CD-ресивера Pioneer NC-50DAB

  • Обзор блока питания Thermaltake Toughpower iRGB Plus 1250W Titanium с программно-аппаратным комплексом мониторинга

  • [6.07] Подкаст PRO игры: cтрасти вокруг Kingdom Come: Deliverance, вымирание слэшеров, русский колорит

  • Обзор компактной фотокамеры Sony RX10 IV с сенсором 1″ и несменным 25-кратным зум-объективом

  • Обзор карты памяти SanDisk Extreme Pro CFast 2.0 емкостью 128 ГБ

  • Обзор портретного объектива Fujinon XF 50mm f/2 R WR для компактных беззеркальных камер Fujifilm

  • Запуск Falcon Heavy, убытки Илона Маска, умные очки Intel

  • Обзор недорогого корпуса Deepcool Earlkase RGB со стеклянной стенкой и RGB-подсветкой

  • Обзор кинокамеры Canon EOS C200: съемка 4K-видео с высокой частотой кадров в формате Cinema RAW Light

  • Обзор «камуфляжного» игрового ноутбука MSI GE62VR 7RF Camo Squad Limited Edition

  • Обзор светосильного широкоугольного объектива Nikon AF-S Nikkor 28mm f/1.4E ED

Календарь

август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс