Компания Samsung Semiconductor объявила о начале массового производства 1 Гбит чипов флэш-памяти типа NAND серии K9F1GXXX0M, при производстве которых используется 0,12 мкм техпроцесс. При этом, размер одной ячейки памяти не превышает 100 кв. нм.
Новые 1 Гбит чипы от Samsung выпускаются в 48-контактных корпусах TSOP1, имеют 32-банковую организацию, включают в себя дешифратор строк с поддержкой выборки 1 Кб блоков. Помимо этого, чип поддерживает расширенную 2 Кб страничную организацию и функцию поблочного 128 Кб стирания. Благодаря наличию кэша для продолжительной страничной записи, по заявлению компании, удалось повысить скорость записи на 70% по сравнению с предыдущими поколениями флэш-памяти типа NAND. При этом скорость чтения достигает 16 Мб/с в 8-битном режиме (чипы K9F1G08Q0M-Y) и 27 Мб/с в 16-битном (чипы K9F1G16Q0M-Y). Напряжение питания новых чипов составляет 1,8 В, время доступа – порядка 50 нс.
Для сравнения: Toshiba уже производит свои 1 Гбит чипы, использующие технологию хранения двух битов в одной ячейке и многоуровневую выборку данных, правда, пока с применением 0,16 мкм техпроцесса. Hitachi намерена представить образцы своих 1 Гбит чипов Assist Gate в октябре.