В прошедшую среду мы уже рассказывали о том, что в Intel разработали трехмерную конструкцию транзистора с тройным затвором (см. нашу новость В качестве альтернативы для будущих процессоров Intel предлагает трехмерный транзистор). В частности, там сообщалось, что подробности о новой технологии будут представлены Intel на конференции International Solid-State Devices and Materials. Итак, дополняем наш материал.
Трехмерный трехзатворный транзистор от Intel имеет кубическую структуру, похожую на приподнятую горизонтальную плоскость с вертикальными стенками.
Подобная структура позволяет посылать электрические сигналы как по "крыше" транзистора, так по обеим его "стенам". За счет этого эффективно увеличивается площадь, доступная для прохождения электрических сигналов, – это похоже на расхождение однополосной дороги в широкое трехполосное шоссе, только в случае с транзистором не требуется дополнительного свободного места.
На конференции были продемонстрированы слайды, наглядно объясняющие разницу между привычным "двухмерным" FinFET транзистором...
В случае с традиционной структурой элементов литография становится существенным ограничителем скорости усовершенствования техпроцесса. Новый "трехмерный" транзистор...
... помимо прочего, будет работать более эффективно, проводя на 20 % больше тока выборки по сравнению с традиционной планарной конструкцией с аналогичным размером затвора.
Тройной затвор строится на ультратонком слое полностью обедненного кремния, что обеспечивает снижение тока утечки. Это позволяет транзистору быстрее включаться и выключаться при значительном снижении энергопотребления. Особенностью этой конструкции также являются поднятые исток и сток – в результате снижается сопротивление, что позволяет транзистору работать от тока меньшей мощности. Новая конструкция совместима с разрабатываемым в данный момент диэлектриком K-затвора с высокой проницаемостью, который позволит еще больше снизить утечку тока.
Intel планирует выпустить специальный технический документ, где будут освещаться производительность, энергопотребление и утечка тока новых транзисторов, а также внесенные в них значительные усовершенствования по сравнению с существующей конструкцией. Подробная информация о трехмерной конструкции транзисторов с тройным затвором будет выкладываться компанией по адресу www.intel.com/research/silicon.
Фотографии взяты с сайта PC Watch.