Исследовательский центр Xerox (PARC) в Пало-Альто, Калифорния, сообщает о разработке технологии создания самоорганизующихся 3D-структур на кремниевой подложке для микросхем. Компания продемонстрировала образцы применения технологии, названной StressedMetal, для создания индуктивных элементов на поверхности чипа и для нанесения проводников между элементами.
Название технологии происходит от того, что при создании элементов используется тонкий слой металла, натягивающийся на поверхность и нарезающийся в полосы, который при снятии механического напряжения сворачивается в кольца заданного радиуса.
PARC сообщает, что добротность индуктивных элементов получается не менее 70 на 1 ГГц при установке на обычный CMOS(КМОП)-чип. Благодаря тому, что индуктивный элемент находится вне кристалла, добротность его несколько выше, а уровень помех на соседние элементы, находящиеся под ним, соответственно, ниже.
Проводники, выполненные по технологии StressedMetal, были использованы в прототипе печатающей головки для нового принтера PARC. В печатающей головке используется массив из 200 диодных лазеров, расположенных на расстоянии в 3 мкм друг от друга и требующих микроскопически малых соединительных проводников.