Вчера мы писали о том, что Toshiba и Sandisk уже представили чипы флэш-памяти, производимые по 90-нм технологии, STMicroelectronics сегодня сообщила о выпуске чипов флэш-памяти, производимых по нормам 0,13-мкм техпроцесса.
В отличие от 90-нм чипов своих конкурентов, STMicroelectronics собирается запустить новые чипы в массовое производство уже к концу текущего года. Новые чипы флэш-памяти предназначены для терминалов беспроводной связи, сотовых телефонов и пр.
Чипы, изготовляемые по 0,13-мкм, рассчитаны на напряжение питания 1,8 В, но планируется, что часть чипов сможет работать и на 3 В. Есть, правда, один небольшой минус – проводники в чипах алюминиевые, что, скорее всего, неблагоприятно скажется на энергопотреблении микросхем.