4 Мб чипы памяти FRAM от Samsung Electronics

Компания Samsung Electronics объявила о выпуске специализированных 4 Мб чипов сегнетоэлектрической (Ferroelectric Random Access Memory, FRAM) памяти для мобильных устройств. В новых чипах применена представленная в начале года технология, по которой Samsung выпускает свои 32 Мб чипы FRAM, с некоторыми дополнительными доработками, снижающими себестоимость производства новых чипов. 4 Мб чипы памяти FRAM от Samsung Electronics

Ячейки чипов FRAM обладают меньшими по сравнению с SRAM размерами и более экономичным – по сравнению с DRAM, режимом работы. Ячейка новых чипов памяти занимает площадь 0,94 кв. мкм. Напряжение питания чипов составляет 3 В, время выборки - порядка 80 нс.

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс