Сегодня компания STMicroelectronics анонсировала новую технологию памяти для смарт-карт Page Flash, избавляющую в будущем чипы смарт-карт от присутствия EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory).
Память EEPROM имеет достаточно широкое распространение в смарт-картах благодаря возможности ее быстрого (несколько миллисекунд) стирания/программирования. Недостаток EEPROM - необходимость использования высокого напряжения (порядка 18 В) в режиме записи.
Технология памяти Page Flash является производным от обычной флэш-памяти и обладает сходной скоростью программирования (около 10 мкс), однако, помимо этого, позволяет выборочно стирать 32-битные слова данных за время в несколько миллисекунд, а также имеет увеличенное до 100K раз количество гарантированных циклов перезаписи. Использование памяти Page Flash в комбинации с обычной флэш-памятью позволяет упростить технологию производства чипов, так как при этом используется сходная технология.
Для показа возможностей памяти Page Flash в рамках проекта MEDEA+ Esp@ss-is компанией ST был создан специальный демонстратор ST22FJ1M, объединяющий 32-битный защищенный микроконтроллер платформы SmartJ с 1 Мб флэш-памяти, из которой 768 Кб памяти отведено для пользовательских нужд (User Flash), остальные 256 Кб представляют собой Page Flash, заменяющий традиционную EEPROM.
Компания рассчитывает, что новая технология сможет найти применение на рынке мобильных терминалов поколения 3G/4G, а также в high-end решениях для доступа в интернет и систем типа Pay TV. В начале 2003 года ожидается начало производства коммерческих решений на базе демонстратора ST22FJ1M и ядра ST22 с использованием технологий Flash/Page Flash.