На недавно закончившейся конференции International Electron Devices Meeting 2002 (IEDM), две компании - Intel и IBM, представили свои 90 нм техпроцессы и рассказали о преимуществах своих технологий производства логики и превосходных полученных результатах. Однако, каждая компания использовала в своих разработках различные технологические приемы: если IBM использует в своем 90 нм техпроцессе частично обедненный кремний на диэлектрике (partially depleted SOI), то Intel приняла концепцию применения деформированного (растянутого) кремния (strained silicon) в своем "техпроцессе 1262". Помимо этого, каждая компания применяет собственную систему измерений. Если IBM объявила о том, что ее 90 нм CMOS техпроцесс позволил достичь максимальной частоты самовозбуждения, то результаты Intel, которая не применяет в своей методике результаты генерации автоколебаний, представлены как максимальная скорость передачи тока для 90 нм кремния. Согласно заявлению представителей Intel, применение деформированного кремния позволило улучшить результаты как минимум на 20%.
Новый 90 нм техпроцесс Intel - 1262, будет применен компанией на фабриках по выпуску 300 мм пластин уже в следующем году, именно эта технология будет использована при производстве следующего поколения процессоров P4 с рабочим названием Prescott. Для создания растянутой решетки Intel намерена использовать эпитаксиальную германиевую присадку на верхнем слое кремния, с умеренной 17% концентрацией атомов германия. По мнению специалистов Intel, изменение количественного содержания атомов германия позволит компании без проблем перейти на нормы 65 нм техпроцесса без перехода на SOI.
Помимо этого, Intel будет использовать базовую методику 90 нм техпроцесса для создания новой технологии производства коммуникационных чипов, объединяющей биполярные SiGe транзисторы, пассивные и другие элементы. Первые чипы, произведенные по новому 90 нм SiGe техпроцессу от Intel появятся ориентировочно в конце 2003 – начале 2004 года.
По иронии судьбы, на протяжении последних пяти лет IBM оставалась одним из активнейших адептов технологии деформированного кремния и представляла на суд IEDM многочисленные документы о проведении исследований в этом направлении. Однако, получается, что Intel выведет на рынок эту технологию раньше чем IBM и другие компании. Внедрение кремния с деформированной кристаллической решеткой на SOI планируется IBM при переходе к 65 нм техпроцессу.
Представленный на конференции 90 нм SOI техпроцесс от IBM позволяет говорить о создании цепей автоколебаний с задержками порядка 4,5 - 5 пикосекунд.