Новые 314 МГц встраиваемые чипы DRAM от NEC Electronics

Сегодняшним пресс-релизом компания NEC Electronics уведомила о начале поставок новых чипов памяти CB-130 DRAM для встраиваемых приложений, изготовленных с применением норм 0,13 мкм техпроцесса NEC UX5D (медь, low-k диэлектрики, ступенчатое оксидирование L-OxTM). Новые чипы представлены версиями емкостью 8 Мбит и 9 Мбит, обладают тактовой частотой до 314 МГц при напряжении питания 1,2 В с однотактной задержкой, предназначены для применения в составе одночиповых интегральных решений (single system-on-chip, SoC) класса 10- и 40-гигабитных маршрутизаторов, сетевых систем хранения данных, кэш-памяти и high-end графики. Новые 314 МГц встраиваемые чипы DRAM от NEC Electronics

Поставки опытных партий чипов NEC Embedded DRAM емкостью 8 Мбит (64K х байт x 128 бит) и 9 Мбит (64K х байт x 144 бит) уже начались, массовое производство чипов начнется в третьем квартале 2003 года.

16 декабря 2002 в 12:04

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс