Компания Toshiba анонсировала выпуск первых 128 Мбит (8M x 16 бит) чипов так называемой Pseudo SRAM - устройств, в которых DRAM-ячейки сочетаются с интерфейсом SRAM. Такая организация позволяет добиться большей плотности размещения, высокой скорости обмена данными и более экономичного режима работы. Область применения новых чипов – мобильные телефоны и PDA.
Новые 128 Мбит чипы PSRAM выпущены в двух модификациях: с поддержкой напряжения питания ядра и I/O шин в диапазоне 2,6 В – 3,3 В (модель TC51WHM716AXBN70) или 1,8 В (модель TC51WKM716AXBN75). Обе версии чипов изготавливаются с применением 0,175 мкм CMOS техпроцесса, энергопотребление чипов в ждущем режиме не превышает 250 мкА, время доступа не превышает 70 - 75 нс. Чипы выпускаются в 69-контактных 9 х 12 мм корпусах FBGA, к выпуску также готовятся многочиповые сборки (MCP, multi-chip package), где PSRAM будет скомпонована с другими видами памяти: SRAM, NOR-флэшем или NAND-флэшем.
Поставки пробных партий 128 Мбит чипов Pseudo SRAM по цене $42 за штуку начнутся в конце января, массовое производство чипов запланировано на март 2003.