Сегодня компания Samsung Electronics представила первые 4 Гб модули DIMM памяти DDR SDRAM PC2100/PC2700.
Новые 4 Гб модули скомпонованы из тридцати шести 1 Гбит чипов DDR266/DDR333 SDRAM, выполненных с применением норм 0,10 мкм техпроцесса. Новые чипы имеют x4, x8 и x16-битную конфигурацию, выполнены в корпусах TSOP2.
Начало массового производства новых 4 Гб модулей PC2100 и PC2700 от Samsung запланировано на второе полугодие 2003 года.