Сегодня компания Samsung Electronics объявила о разработке новых 72 Мбит чипов памяти DDR3 SRAM с производительностью до 1,5 Гбит/с, которые найдут применение в новых поколениях коммуникационных устройств, серверов и рабочих станций.
Новые чипы с напряжением питания 1,2 В будут производиться с применением норм 90 нм техпроцесса, при этом, сгласно сообщению компании, производство крохотных (площадью всего 0,79 мкм² ячеек) памяти DDR3 SRAM будет налажено на линиях с применением обычного криптон-фторидного (Krypton Flouride, KrF) литографического оборудования.
В настоящее время Samsung уже начала поставки образцов 32 Мбит чипов DDR3 SRAM. Массовое производство чипов DDR3 SRAM емкостью 72 Мбит будет запущено во второй половине 2003 года.