Компания Motorola, по словам обозревателей Cnet, должна в ближайшее время представить прототипы новых чипов флэш-памяти - на базе тонкого слоя кристаллов кремния, который, собственно, и хранит данные. Данная технология, по словам инженеров, поможет индустрии флэш-памяти преодолеть существующие технические трудности.
Существующие чипы флэш-памяти удерживают данные благодаря затворам транзисторов, захватывающих электроны. Используемый слой диоксида кремния, однако, относительно толстый и в течение ближайших пяти лет самой большой проблемой при разработке чипов флэш-памяти будет трудность с уменьшением их размеров, что приведет к снижению рентабельности флэш-памяти и ограничит производительность чипов.
Атомы кремния формируют кристаллический барьер для удержания электронов в чипах
Разумеется, увеличивается и выход чипов, получаемых из одной пластины - из экспериментальной пластины, по словам менеджера по памяти Motorola, Ко Мин Ченга (Ko-Min Chang), можно получить от 30 до 33 чипов. Если все пойдет удачно, Motorola начнет поставлять образцы нанокристаллических чипов в 2005 году, а через 6 месяцев (или больше) начнет массовое производство таких чипов флэш-памяти.
В настоящее время компания работает над еще одной альтернативной технологией, Sonos, прототипы чипов с использованием этой технологии Motorola только предстоит произвести. Однако, судя по всему, чипы памяти, выполненные по технологии Sonos не очень поддаются уменьшению.
Однако еще ничего не ясно - Motorola пока не решила, на какой технологии при производстве чипов флэш-памяти будет концентрироваться.