Пока спецификации для нового поколения памяти еще только разрабатываются, производители уже демонстрируют образцы чипов и модулей DDR2.
К настоящему моменту JEDEC уже одобрила предварительный стандарт для mini-DIMM, модулей, которые заменят SO-DIMM для мобильных компьютеров. Кроме того, создана рабочая группа по выработке спецификаций для DDR2 с частотой работы 400 МГц и пропускной способностью 800 Мбит/с. Отдельная рабочая группа занимается разработкой спецификаций памяти DDR2 для мобильных телефонов, КПК и других портативных устройств.
Независимо поставщики памяти зондируют почву для продвижения модулей с многоярусным расположением чипов DDR2; основная трудность при этом - физические характеристики BGA-корпусировки чипов.
Предварительная версия спецификаций для mini-DIMM была принята JEDEC в январе, окончательный вариант спецификаций, как отметил Джим МакГраф (Jim McGrath), директор по стратегическому развитию Molex Inc., будет рассмотрен в апреле. Выступая на JEDEX на прошлой неделе, МакГраф отметил, что DDR2 mini-DIMM могут использоваться не только в ноутбуках, но и в blade-серверах, принтерах и других устройствах с небольшим форм-фактором.
Начала JEDEC и работу над черновыми спецификациями для DDR2 с пропускной способностью до 800 Мбит/с - в настоящее время пропускная способность образцов DDR составляет 400 и 533 Мбит/с, причем, некоторые производители имеют образцы чипов с пропускной способностью 677 Мбит/с.
Что касается DDR2 для мобильных устройств, то, как отметил Д. Ли (D.Y. Lee), менеджер по определению новой продукции в Samsung Electronics, окончательная версия стандарта может быть принята к июню.
По словам Ли, напряжение 1,8 В для DDR2 позволяет снизить энергопотребление устройств, что является основным требованием для мобильных устройств. В новом стандарте будут оговариваться технологии дальнейшего снижения энергопотребления, включая частичное самообновление массивов, что позволит снизить потребляемую мощность продуктов.
Что касается других улучшений DDR2, производители DRAM стараются достичь плотностей, сравнимых с плотностями TSOP-чипов для DDR1 DIMM. По словам директора по технологиям в Samsung Semiconductor, Миана Куддуса (Mian Quddus), поставщики DRAM обсуждают возможность многоярусного размещения кристаллов DDR2 в BGA-корпусе или возможность использования перемычки между двумя BGA-корпусами. Третий вариант, который рассматривается - использование гибкого соединения на одной стороне печатной платы, которое будет "связывать" два модуля стык-в-стык. В настоящий момент Samsung, в частности, пока не определилась с выбором технологии.
Как бы то ни было, но поставщики DDR2 планируют представить чипы нового поколения на рынке серверов и планируют начать массовые поставки чипов на рынок в первой половине 2004 года.