В продолжение поднятой вчера в новости о применении изолирующих пленок с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k) тайваньской TSMC интернет-издание EE Times Online сообщает о том, что другие промышленники оценивают возможности отказаться от low-k пленок в пользу других, более перспективных с их точки зрения технологий. Однако даже в самой IBM еще нет единого мнения по этому вопросу.
С одной стороны, применяемая в IBM пленка SiLK может быть использована в техпроцессах и с меньшим значением диэлектрической проницаемости, а с другой стороны, она проигрывает по коэффициенту линейного температурного расширения оксидам, напыляемым на углерод в процессах сублимационного химического замещения (CVD). Надо отметить, что проблема с большим коэффициентом температурного расширения некоторое время назад привела к тому, что часть выпускаемых чипов для Xilinx пришлось в срочном порядке переводить с SiLK на старое доброе фторированное кварцевое стекло (fluorinated silicate glass, FSG).
Теперь у IBM есть как минимум три пути развития производства микросхем: продолжать использовать SiLK, которая, несмотря на свои недостатки, выглядит вполне конкурентно по сравнению с другими технологиями, начинать активную разработку CVD или продолжать использовать фторирование кварца, который потихоньку начинает выглядеть как анахронизм, хотя тоже до сих пор остается конкурентоспособным.
По словам представителей компании, первые продукты на SiLK уже поставляются Xilinx. В запланированном на будущее производстве по 65-нм нормам планируется использовать комбинацию SiLK и CVD. Гибридные стековые технологии распространятся и на таких партнеров IBM, как AMD, Chartered, Toshiba. Кроме IBM, SiLK для создания тренчей используют Fujitsu и TSMC.