Компании Infineon и Micron сообщили о завершении работы над спецификациями архитектуры RLDRAM II (reduced latency DRAM II) - второго поколения чипов DDR SDRAM с уменьшенной задержкой, работающих на частотах до 400 МГц.
Чипы RLDRAM II выполнены в стандартных 144-контактных FBGA-корпусах (11 х 18,5 мм) и доступны в трех конфигурациях: 8 Meg x 36, 16 Meg x 18 и 32 Meg x 9.
Напомним, что RLDRAM разрабатывается двумя компаниями как стандарт памяти для сетевого оборудования для высокоскоростных сетей. 8-банковая архитектура чипов оптимизирована для работы с большими потоками данных и обеспечивает пиковую пропускную способность до 28,8 Гбит/с при 36-разрядном интерфейсе - tRC RLDRAM II доведена до 20 нс. По мнению производителей, использование чипов нового поколения позволит достичь пропускной способности сетевых устройств 10 и 40 Гбит/с.
Подробные характеристики 288 Мбит чипов RLDRAM II доступны через сайт RLDRAM, по запросу.