Складывающаяся в настоящее время ситуация со спросом и предложением на рынке NAND flash, как отмечают журналисты Silicon Strategies, выглядит по-разному - с чьей стороны взглянуть. По словам аналитиков, существующий переизбыток чипов этого типа памяти приведет к тому, что на протяжении 2004 года цена на NAND flash будет падать, тем более, что в этом году в этом секторе готовятся появиться STMicroelectronics и Hynix.На сегодняшний момент все пытаются сойтись во мнениях - есть ли перенасыщение или нет.
Так, с одной стороны, призрак перепроизводства отступил чуть ранее в этом году, когда резкое падение цен привело к росту спроса на NAND flash во втором квартале. Samsung Electronics, крупнейший поставщик этого типа flash-памяти, контролирующий более 50% рынка, сообщил, что уже зарезервировал все свои производственные мощности в этом квартале и ожидает снижения поставок NAND flash в 2003 году.
Как сообщил Скот Нельсон (Scott Nelson), руководитель отдела направления flash-памяти Toshiba America Electronic Components Inc, он не наблюдает никакого перенасыщения рынка NAND flash. Было также отмечено, что компания после слабого первого квартала постепенно наблюдает рост спроса на свою продукцию во втором квартале. Аналитики iSuppli отмечают, что в первом квартале 2003 года цены на чипы NAND упали на 50-60% по сравнению с аналогичными показателями 2002 года. Такое падение было вызвано, по мнению специалистов, увеличением выпуска чипов NAND Toshiba в Японии, а также увеличением выпуска чипов Samsung.
Низкие цены на NAND flash привели к тому, что OEM-производители смогли увеличить емкость карт flash-памяти и flash-памяти для бытовой электроники, что поглотило все потенциальные переизбытки.
Новички на старте
Однако, поставки NAND flash могут выйти из-под контроля существующих игроков с появлением, как отмечалось выше, во второй половине 2003 года, двух новых игроков - Hynix Semiconductor Inc. и STMicroelectronics Inc. В зависимости от того, насколько резким будет их старт, аналитики предполагают, что 2004 год может ознаменоваться действительным переизбытком чипов этой памяти на рынке.
Два лидера, Samsung и Toshiba пока заняли выжидающую позицию, причем, как новички, так и старые игроки считают, что рост рынка NAND дает шансы на выживание всем. Как сообщил представитель Toshiba, все пока с интересом наблюдают, смогут ли новые компании уложиться в заявленные ими сроки - технология производства NAND flash сложна и двум новичкам придется многому учиться. Филипп Бердж (Philippe Berge), директор по маркетингу отделения памяти ST, также считает, что появление двух новых игроков на рынке не приведет к мгновенному перепроизводству. ST и Hynix будут продавать чипы, которые на начальном этапе будут производиться на DRAM фабрике корейской компании по 0,12-мкм технологии, порознь. В будущем ST предстоит решить, стоит ли начинать производство на собственной фабрике. Оба производителя, как ожидается, представят 512 Мбит чипы уже во второй половине этого года, а серийный выпуск чипов начнут ближе к концу 2003 года.
В настоящее время Samsung и Toshiba продолжают борьбу за рыночные доли в секторе NAND flash. По оценкам iSuppli, Samsung контролирует 54% рынка, Toshiba - 34%. Renesas Technology Corp. имеет 11% рынка, унаследовав производство от партнера, Hitachi Ltd. Естественно, что занимая лидирующую позицию, корейский производитель может более гибко выстраивать свою политику - так во втором квартале Samsung снизила производство чипов, чтобы попытаться восстановить баланс спроса и предложения. Samsung производит NAND flash на двух фабриках, выпускающих DRAM, в Корее и, в зависимости от условий рынка, может переключаться с выпуска flash на выпуск DRAM.
По оценкам Semico, поставки NAND в этом году составят 300 млн. чипов (в прошлом году поставки составили 183 млн. чипов), а вот доход от продаж вырастет только на 10%, до 2,2 млрд. долларов. Одним из факторов, определяющих резкий скачок [объемов поставок] в секторе NAND - продолжающаяся гонка за новыми технологиями. Samsung уже освоила выпуск 512 Мбит и 1 Гбит чипов по нормам 0,12-мкм техпроцесса. 300-мм фабрика Line 12 в конце этого года уже начнет пилотный выпуск чипов по 90-нм технологии, причем, выпускаться будут, как ясно, как flash-память, так и DRAM.
Toshiba производит NAND flash по 0,125 мкм технологии и к концу года начнет переход на 90-нм техпроцесс. Пилотное производство чипов NAND на 300-мм фабрике в Йоккаичи должно начаться в 2005 году.