Японский производитель памяти, компания Elpida Memory, Inc. сообщила о выпуске второго поколения 256 Мбит Double Data Rate (DDR) Mobile RAM с пониженным энергопотреблением, предназначенной для мобильных телефонов, КПК, цифровых камер и др. Новые чипы выполнены по нормам 0,11-мкм техпроцесса, имеют пропускную способность 400 Мб/с. Архитектура чипов - 4M words x 16 bits x 4 bank. Напряжение VDD/VDDQ - 1,8 В±0,15 В, корпусировка - 9 х 13 мм FBGA (54-контактный). Частота обновления - 8192 циклов/64 мс.
Образцы 256 Мбит SDR Mobile RAM доступны в настоящее время, начало массовоего производства запланировано на август. DDR-версия будет выполнена в 60-контактном FBGA, начало массового производства запланировано на июнь.
В настоящее время над DRAM с пониженным энергопотреблением работают Samsung Electronics Co. Ltd., Micron Technology Inc., Infineon Technologies AG и Nanya Technology - компании считают, что такие чипы памяти станут новым источником роста рынка DRAM.