Согласно публикации на сайте PhysicsWeb, группа ученых из Японии объявила о разработке нового типа прозрачного полупроводника. В наших публикациях мы уже затрагивали эту тему, тогда речь шла о подобных изысканиях ученых Орегонского государственного университета (Oregon State University), США (см. новость Запатентован прозрачный транзистор). Однако, Хидео Хосоно (Hideo Hosono) и его коллеги из университетов Japan Science and Technology (Кавасаки) и Tokyo Institute of Technology (Токио), разработавшие технологию создания прозрачных транзисторов на базе монокристаллической тонкопленочной структуры окиси полупроводника утверждают, что их разработка позволяет добиться скорости работы в десятки раз большей, нежели предыдущие.
Структура прозрачного полевого транзистора, выполненная на основе индий-галлиевого окисла и оксида цинка - InGaO3(ZnO5)5/ZnO
Как известно, окислы полупроводников, благодаря своей высокой прозрачности, широко используются в качестве пассивных покрытий при создании, например, дисплеев и солнечных батарей. Впрочем, в чистом виде эти вещества электрический ток не проводят, и ученым приходится работать над созданием сложных соединений. Увы, нынешние разработки на базе таких прозрачных материалов как, например, оксид цинка, обеспечивают подвижность электронов лишь на уровне 1 – 3 см²/В/с при комнатной температуре, что, в целом, маловато для создания эффективных полевых транзисторов.
Японским ученым, согласно публикации в 2003 Science 300 1269, удалось создать прозрачные полевые (FET) транзисторы с подвижностью электронов порядка 80 см²/В/с. Полученный результат ученые объясняют тем, что для создания таких транзисторов использовалась монокристаллическая тонкая пленка окиси полупроводника, которая, ко всему прочему, благодаря своей структуре, является бездефектной.