В конце прошлого года Intel представила новую концепцию разработки высокоскоростных логических схем – трехмерных полупроводниковых полевых транзисторов с тремя стоками. На проходящей в Японии конференции VLSI компания объявила о завершении исследовательской стадии и начале разработки инженерных образцов, подтвердив свое намерение начать выпуск процессоров на новых транзисторах к 2007 году.
Как мы уже упоминали (см. ссылку), новая концепция призвана уменьшить ток утечки, возникающий в транзисторах малого размера, путем увеличения эффективной площади, что кстати должно уменьшить дробовые шумы. Лабораторные транзисторы были изготовлены таким образом, что длина вентиля не превышает 30 нм. К 2007 году должно начаться производство транзисторов со средним размером 45 нм (длина вентиля – около 20 нм).
Параллельно с разработкой трехмерных транзисторов Intel продолжает развитие традиционных, планарных (или плоских) полевых транзисторов. На VLSI компания также продемонстрировала высокочастотный адаптивный приемопередатчик, самостоятельно настраивающийся на свободный канал в диапазоне частот в районе 10 ГГц. Возможно, через несколько лет мы увидим подобные решения Intel в адаптерах беспроводной связи.