Корейская компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства 1 Гб SO-DIMM DDR400. Это, пожалуй, первое сообщение от производителей памяти такого рода. Как отметил вице-президент компании по продажам памяти, в модулях эффективно решена проблема усиленного тепловыделения, характерная для высокоскоростной DDR400. Тем более, что это достаточно критично для ноутбуков, в условиях, где модули памяти находятся в достаточно ограниченном пространстве.
1 Гб SO-DIMM выполнены на шестнадцати 512 Мбит чипах в корпусе TSOP. Размещение чипов на модуле — двухрядное. Таким образом, в настоящее время корейский производитель предлагает 256 и 512 Мб SO-DIMM DDR400 на 256 Мбит чипах и 512 Мб и 1 Гб SO-DIMM на 512 Мбит чипах. Образцы 1 Гб SO-DIMM DDR400 были представлены производителям компьютеров еще в феврале.