Корейская компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства 1 Гбит чипов DDR SDRAM, протестированной Intel. Данные чипы выполнены на 12" подложках с использованием норм 0,10 мкм техпроцесса.
Архитектура чипов, доступных как в реализации DDR266, так и DDR333, x4/8/16; говоря о модулях, выполненных на данных чипах, стоит упомянуть, что доступны как планки для серверов/рабочих станций/мейнфреймов — 4 Гб регистровые DIMM на 36 чипах TSOP2 и 2 Гб модули (небуферизованные) для настольных ПК (DIMM) и для ноутбуков (SO-DIMM).
Как сообщает The Digitimes, 1 Гбит чипы DDR SDRAM производятся на Line 11, первой 12" производственной линии Samsung, где начато серийное производство. По данным Samsung, со ссылкой на Gartner Dataquest, во второй половине 2003 года продажи 1 Гбит DDR SDRAM составят 900 млн. долларов, в 2004 году эта цифра составит 2 млрд. долларов, а в 2007 — 12,1 млрд. долларов.