TSMC сообщила в среду о том, что планирует начать производство микросхем с FinFET-структурами (упрощенно, транзисторов с затворами в форме рыбьего плавника) начиная с 65-нм технологических норм. Ожидается, что длина затвора составит около 10 нм. FinFET – одна из альтернативных технологий создания транзисторов в чипах следующих поколений, позволяющая контролировать ток утечки и энергопотребление. Перспективы применения FinFET сейчас исследуются Intel, AMD, IBM и TSMC, причем каждый старается сделать свой транзистор как можно меньше. Intel также активно продвигает технологию трехзатворных транзисторов (см. ссылку).
Впрочем, первенство в разработке FinFET-транзисторов принадлежит все же AMD: компания объявила о выпуске первых подобных устройств с 10-нм затвором в сентябре 2002, опубликовав и доложив свой результат на International Electron Devices Meeting. Ранее TSMC планировала начать выпуск FinFET-транзисторов в процессах с 25-нм нормами (к 2009 году), но теперь пересмотрела свое решение и готова включить их в 65-нм производство.