Консорциум, в который входят 9 японских компаний, занимающихся разработкой EUV-литографии, сообщил, что готов к 2006 году завершить разработку первого прототипа EUV-литографического инструмента(EUV- Extreme Ultraviolet Lithography или литография с применением жесткого ультрафиолетового излучения).
EUVA (Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association) уже в течение длительного времени работает над созданием источников ультрафиолетового излучения с длиной волны 13,5 нм. Коммерческие EUV-сканеры скорее всего, потребуют мощности 110 Вт и более, в то время как современный уровень не превышает 0,6 Вт на выходе, а частота повторения импульсов – 10 кГц. Поэтому, кстати, сама же EUVA ранее не ожидала появления первых прототипов до 2007 года. Второй трудностью, которую требуется преодолеть, является создание высококачественной рефлективной оптики. Две японские лаборатории, Hiratsuka R&D и Gotenba, разрабатывают два альтернативных подхода к созданию мощных источников излучения: LPP (laser-produced plasma или плазма, созданная лазерным излучением) и DPP (discharge-produced plasma или плазма, созданная электрическим разрядом). Обе исследовательские группы планируют достичь уровня мощности в 4 Вт уже к марту 2004 года.
Впрочем, европейские и североамериканские группы не отстают от японцев в плане разработки ультрафиолетовых лазеров и готовы продемонстрировать даже 60-Вт лазеры с частотой повторения импульсов 4 кГц (Cymer, Xtreme Technologies и другие). А вот институт промышленной науки и технологии (AIST) работает над альтернативными источниками ультрафиолетового излучения, такими, как жесть (используя излучение плазмы, состоящей из ионов олова). Оловянный лазер AIST позволяет достичь высокой эффективности (около 5%, что почти в 10 раз лучше ксеноновых газовых лазеров) и ширины импульса 11 нм, однако его длина волны немного отличается от запланированных 13,5 нм, что в перспективе может стать проблемой.