Никто не спорит, что после отказа Intel от использования 157 нм литографических инструментов путем прямого перехода с 193 нм литографии на использование EUV, привлекательность дальнейшего развития промежуточного поколения литографических инструментов значительно упала. Еще бы, ведь от 157 нм отказался крупнейший в мире заказчик! Тем не менее, результаты проведенной недавно в Иокогаме конференции под эгидой Selete и International Sematech показали: 157 нм литография жива и развивается полным ходом.
Представленные на международной встрече более 60 технических презентаций обозначили явный прогресс в разработке 157 нм литографического оборудования для выпуска чипов с нормами 45 нм и менее. Более того, основные игроки рынка сообщили о готовности выпуска коммерческих 157 нм инструментов уже в 2004 году, а следующего их поколения – в 2005 – 2006 годах.
Основные проблемы, ставшие перед разработчиками 157 нм сканеров, как мы писали неоднократно, это вопросы выпуска качественной фторид-кальциевой оптики (CaF2, подходящих фотомасок и фоторезистов. Результаты, обнародованные на проходившей конференции показали, что требования, предъявляемые к фторид-кальциевой оптике, на данном этапе технически вполне достижимы. Также зафиксирован прогресс в разработке твердых фотомасок.
Словом, прогресс налицо, о практических его результатах мы узнаем в ближайшие месяцы. В заключение также хотелось бы отметить, что бытующее мнение о полном отказе Intel от эксплуатации 157 нм инструментов, мягко говоря, не совсем верно. При личных встречах с представителям и компании официальная точка формулируется, скорее таким образом: в настоящее время Intel вполне устраивает 193 нм литография. При переходе на следующие нормы техпроцесса компания будет присматриваться ко всем актуальным к этому времени технологиям.