Компания Hynix сообщила о подаче заявки Intel на тестирование и проверки соответствия стандартам 512 Мбит чипов DDR2 SDRAM; по предварительным результатам образцы чипов успешно выдержали тестирование с двухпроцессорным чипсетом нового поколения с рабочим названием "Lindenhurst". Образцы 512 Мбит чипов DDR2 SDRAM доступны в настоящее время, массовое производство запланировано на начало 2004 года.
Напомним, что к текущему моменту (еще в июне) Intel сертифицировала 512 Мбит чипы Hynix DDR400. 512 Мбит DDR2 SDRAM выполнены с использованием 0,11-мкм технологии Golden Chip, их пропускная способность составляет 667 Мбит/с на контакт при напряжении 1,8 В; архитектура чипов 128M x 4 bit, 64M x 8 bit, и 32M x 16 bit, корпусировка – FBGA.