Компания AMD сообщила о разработке транзистора с тремя затворами, концепт которого был предложен Intel в июне, и представила на конференции International Conference on Solid State Devices and Materials в Токио технические детали решения. Длина затвора составляет 20 нм при использовании 45-нм техпроцесса. По словам инженеров AMD, производительность их разработки по сравнению с предлагавшимися ранее аналогичными решениями выше на 50%, поэтому компания способна выполнить требования к полупроводникам в 2009 году, оговоренные в Международном технологическом плане (2009 International Technology Roadmap for Semiconductors) уже в 2007 году, когда начнется выпуск чипов по новой технологии.
Основной идеей новой технологии является применение электрического канала, выполненного с использованием технологии FDSOI (fully depleted silicon-on-insulator), окруженного с трех сторон затворами из силицида никеля. Такая комбинация позволяет добиться эффекта напряжения кремниевой решетки в электрическом поле.