Южнокорейский полупроводниковый гигант объявил о начале серийного выпуска по нормам 40 нм первых в отрасли микросхем памяти DDR3 плотностью 4 Гбит с пониженным энергопотреблением. По словам Samsung Electronics, эта память обеспечит существенную экономию электроэнергии вычислительным центрам, серверам и высокопроизводительным ноутбукам.
Сегодня в серверах обычно предусмотрено по шесть гнезд для модулей RDIMM (в расчете на одно процессорное гнездо), что соответствует максимальному объему 96 ГБ. Модуль с компонентами DDR2 плотностью 1 Гбит, изготовленными по нормам 60 нм, потребляет 210 Вт. Модуль с компонентами DDR3 плотностью 2 Гбит, изготовленными по нормам 40 нм, потребляет 55 Вт, что соответствует экономии примерно 75%. В случае применения новых микросхем плотностью 4 Гбит, потребляемая мощность уменьшается до 36 Вт, что на 83% меньше чем показатель модуля на компонентах DDR2 плотностью 1 Гбит, изготовленных по нормам 60 нм.
Используя микросхемы DDR3 плотностью 4 Гбит, можно изготавливать серверные модули памяти объемом 32 ГБ, что вдвое больше, чем объем модулей, изготавливаемых с применением компонентов плотностью 2 Гбит. Это касается и модулей памяти для ноутбуков. Новые микросхемы позволят увеличить объем модуля SO-DIMM вдвое, до 8 ГБ.
Начав с выпуска компонентов DDR3 плотностью 4 Гбит, Samsung планирует перевести на 40-нанометровую технологию более 90% выпуска DDR DRAM. Новая память рассчитана на напряжения питания 1,5 и 1,35 В. Она уже используется для выпуска модулей RDIMM объемом 16 и 32 ГБ, и модулей SO-DIMM объемом 8 ГБ.
Источник: Samsung