Корпорация Intel продолжает разработку объемных микросхем, в которых используется технология межслойных соединений (through-silicon vias, TSV), сообщает источник. Пока, правда, не удается определить область оптимального применения технологии.
В настоящее время технология TSV используется в ограниченном числе приложений, к которым можно отнести датчики изображения типа CMOS, микроэлектромеханические системы (MEMS) и некоторые усилители мощности. Вот уже несколько лет компании IBM, Intel и другие производители пытаются расширить область применения TSV на микропроцессоры, память и другие компоненты систем, но пока без особого успеха.
Разместив в микросхеме вертикально несколько слоев и соединив их с помощью TSV, можно уменьшить размеры кристаллов, сократить длину связей и увеличить их пропускную способность. К сожалению, при этом возникают проблемы, основными из которых является повышение стоимости, усложнение отвода тепла, отсутствие стандартов и инструментов для проектирования.
Выступая на недавнем мероприятии под названием 3D Architectures for Semiconductor Integration and Packaging, представитель Intel сказал: «3D выглядит привлекательно, если мы сможем найти правильную область применения. Мы все еще ее ищем».
Упомянутое выше повышение стоимости, связанное с применением TSV, не позволяет разрабатывать технологию, что называется, из любви к искусству — выпуск продукции должен приносит прибыль. Что же заставляет продолжать разработку и искать правильное применение TSV? Прежде всего, потребность в увеличении пропускной способности внутренних соединений, вызванная существенным увеличением объемов информации, обрабатываемой системами. Сейчас, по оценке Intel, пропускная способность подсистем памяти составляет 25-40 ГБ/с. В новом классе приложений требование к пропускной способности возрастет на порядок. Это случится уже в ближайшие годы, так что компания продолжает разработки в области 3D-микросхем.
Источник: EE Times