Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) успешно ведет разработку 28-нанометрового техпроцесса, построенного на использовании поликристаллического кремния и оксинитрида кремния (SiON/poly), утверждает источник. В планах компании значится внедрение этого техпроцесса в серийное производство в начале 2010 года. Технологический процесс с соблюдением норм 28 нм будет доступен в двух вариантах, с оптимизацией по производительности и энергопотреблению чипов.
Согласно данным, которые обнародовала TSMC на тематическом симпозиуме, прошедшем в Японии несколько дней назад, компания добилась приемлемого процента выхода годных изделий при изготовлении чипов со структурами памяти типа SRAM плотностью 64 Мбит по нормам 28 нм. Размеры ячейки при этом составили 0,127 кв.мкм. По оценке TSMC, транзисторы, изготовленные по новому техпроцессу, превосходят своих 45-нанометровых предшественников по быстродействию на 25-40% или позволяют сэкономить 30-50% энергии в активном режиме.
Вице-президент компании по научно-исследовательской работе Джек Сан (Jack Sun) отметил, что своими достижениями компания обязана тесному сотрудничеству с заказчиками, которые заинтересованы в использовании более тонких норм техпроцесса.
Источник: DigiTimes