Компания Samsung Electronics сочла необходимым объявить о наращивании выпуска микросхем памяти DDR3, изготавливаемых по нормам «50-нанометрового класса». По словам производителя, этот шаг продиктован увеличением спроса на указанную память, последовавшим за выпуском процессоров Intel Xeon серии 5500.
Память DDR3 производства Samsung позволяет включать в конфигурацию серверов на новых процессорах до 192 ГБ оперативной памяти (16 ГБ x12). По сравнению с памятью DDR2, новая память имеет на 60% меньшее энергопотребление и вдвое более высокую производительность, поддерживая скорости обмена до 1333 Мбит/с.
Четыре десятка решений Samsung в категории DDR3 успешно прошли тестирование на совместимость с платформой Intel 5500. В их числе — чипы плотностью 1 и 2 Гбит, буферизованные модули объемом 1, 2, 4, 8 и 16 ГБ, а также небуферизованные модули объемом 1, 2 и 4 ГБ.
Дальнейшему росту популярности DDR3 должен поспособствовать значащийся в планах Intel на вторую половину года выход двух платформ, поддерживающих только этот тип памяти.
Источник: Samsung