По словам Курта Ронса (Kurt Ronse), директора программы передовой литографии в IMEC, наиболее вероятной технологией при освоении норм 22 нм и менее является литография в «жестком» ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
Пока пропускная способность прототипа соответствующего оборудования примерно равна 2,5 пластины в час. Чтобы приблизиться к показателям оборудования для оптической литографии, предстоит увеличить это значение до 100 пластин в час.
Вступая перед прессой на мероприятии IMEC Annual Research Review Meeting, Ронс сказал, что ни один из двух способов, рассматриваемых в качестве средства для расширения возможностей иммерсионной литографии, похоже, не даст удовлетворительных результатов. В частности, способ, построенный на увеличении показателя преломления иммерсионной среды, не принес успеха, поскольку темпы разработки соответствующего материала отстают от графика ITRS. Это выводит EUV на первый план.
Предсерийные образцы EUVL-оборудования IMEC рассчитывает иметь в начале 2010 года. Первые экспериментальные образцы такого оборудования компания ASML Holdings NV отправила заказчикам, в числе которых был институт, в 2006 году. Пока с его помощью удалось изготовить 32-нм чипы SRAM.
Источник: EE Times