По сведениям источника, магниторезистивная память (MRAM) готова совершить рывок и перейти от специализированных применений к массовому использованию в ПК. Если это окажется правдой, DRAM очень быстро может уйти в историю — так велики преимущества нового типа памяти.
В частности, MRAM имеет больше быстродействие, чем DRAM, и хранит информацию даже в отсутствие источника питания. Кроме того, она потребляет в десять раз меньше электроэнергии. Фактически, это означает, что компьютеры с MRAM будут работать быстрее и включаться практически мгновенно, а время автономной работы ноутбуков удастся заметно увеличить.
Очередного успеха в развитии технологии MRAM добилась компания Toshiba, о разработках которой в этом направлении мы рассказывали в конце осени прошлого года. Напомним, тогда Toshiba удалось на практике подтвердить возможность применения технологии переключения передачей спинового вращательного момента и перпендикулярной магнитной анизотропии (PMA) в туннельном магниторезистивном элементе (MTJ), являющемся ключевым компонентом ячейки памяти. На данный момент, специалистам компании удалось вплотную приблизиться к созданию чипов памяти MRAM плотностью 1 Гбит. Чипы такой плотности представляют интерес в контексте применения в компьютерах.
Как сообщается, ученым Toshiba удалось преодолеть слабое место MRAM — подверженность тепловым флуктуациям.
По оценке Toshiba, MRAM станет основной технологией памяти к 2015 году.
Источник: TechRadar.com