Компоненты памяти DDR3 плотностью 2 Гбит и модули на их основе объемом 16 Гбайт - для серверов и 4 Гбайт - для настольных ПК и ноутбуков создали специалисты компании Micron Technology. По ее данным, пока больше никто из производителей памяти не выпустил на рынок компоненты DDR3 плотностью 2 Гбит и модули указанного объема. Увеличение объема модулей хорошо согласуется с возросшими требованиями со стороны операционной системы Windows и приложений нового поколения.
Компоненты выпускаются по нормам 78 нм. Пропускная способность памяти DDR3, по данным компании, составляет 1333 Мбит/с. Это должно обеспечить значительный прирост общей производительности систем, особенно, на приложениях, интенсивно работающих с большими массивами данных. Для наглядности, компания приводит такой пример: пропускная способность 1333 Мбит/с соответствует передаче текстового документа из 100000 страниц за время порядка одной секунды.
Важной особенностью новой памяти является пониженное с 1,8 В до 1,5 В напряжение питания. За счет этого, компоненты DDR3 плотностью 2 Гбит потребляют на 20-30% меньше электроэнергии, чем их предшественники, компоненты DDR2. Дальнейшая экономия электричества обеспечивается за счет уменьшения количества компонентов в составе модуля (на 40-50%, в зависимости от типоразмера модуля).
В настоящее время, компания Micron отгружает ознакомительные образцы модулей DDR3, в которых используются компоненты плотностью 2 Гбит, предназначенных для серверов, настольных ПК и ноутбуков. Сроком, когда эти модули станут коммерчески доступны, назван первый квартал будущего года.
Источник: Micron Technology