Тайваньский научно-исследовательский институт промышленных технологий (Industrial Technology Research Institute, ITRI) уже не раз мелькал в материалах нашего сайта со своими интересными разработками. На сей раз внимание к нему привлечено благодаря заявлению о том, что продукты на базе PRAM (Phase-change Random Access Memory, память с произвольным доступом, построенная на переходе вещества из одного фазового состояния в другое) будут готовы в этом тайваньском научно-исследовательском учреждении к 2010 году.
Названый срок вряд ли позволит ITRI стать пионером на данном перспективном рынке - у Samsung работающий 512-Мб прототип был готов еще в прошлом году, а коммерческая доступность обещана в 2008-м.
ITRI и его партнеры, в числе которых Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC), ProMOS Technologies, Powerchip Semiconductor, Nanya Technology, Macronix International и Winbond Electronics рассчитывают превзойти корейского гиганта в другом - они надеются выпускать чипы гораздо большей плотности и функциональности.
К слову, в гонку за право занять значительный сегмент рынка PRAM уже включились помимо названных компаний также Intel, IBM, Qimonda, STMicroelectronics, Hynix Semiconductor и Ovonyx.
Напомним, в сравнении с сегодняшней памятью типа NAND PRAM имеет, минимум, в 30 раз более высокий потенциал скорости записи данных, в 10 раз более высокую долговечность. При этом, как и современная флэш-память е нуждается в питании для того, чтобы хранить данные.
Источник: InfoWorld