Разработчик энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (F-RAM) расширил семейство микросхем F-RAM большой плотности новым прибором с параллельной шиной. Микросхема, получившая обозначение FM21L16, имеет плотность 2 Мбит, насчитана на напряжение питания 3 В и выпускается в 44-контактном корпусе типа TSOP-II.
К достоинствам новинки, связанным с применением технологии F-RAM, компания относит высокое быстродействие, малое энергопотребление и практически неограниченное количество циклов чтения и записи. По расположению и назначению выводов новинка совместима с микросхемами асинхронной статической памяти с произвольным доступом (SRAM). Это предопределяет приоритетную область использования FM21L16 - конструкции, где традиционно используется SRAM. В частности, речь идет о промышленных контроллерах, измерительных приборах, медицинском оборудовании, автомобильных, военных, игровых и компьютерных системах.
В качестве логической организации FM21L16 выбрана схема 128K x 16. Запись и чтение выполняется со скоростью шины, без каких-либо задержек. Заявленное время доступа составляет 55 нс. По утверждению производителя, гарантированное количество циклов перезаписи превышает 100 триллионов, а время, в течение которого информация сохраняется в памяти микросхемы в отсутствие напряжения питания, составляет 10 лет. По скорости работы (пиковая пропускная способность – 80 Мб/с) и энергопотреблению (ток в режимах чтения и записи - 18 мА, в режиме энергосбережения – 5 мкА) память FM21L16 превосходит все сопоставимые микросхемы SRAM.
Новинка производится по техпроцессу CMOS, разработанному в Texas Instruments, с применением норм 130 нм. В настоящее время доступны ознакомительные образцы FM21L16. Цена изделия начинается с отметки 12 долларов за штуку в партии из 10000 штук.
Напомним, весной этого года было выпущено другое изделие семейства – микросхема FM22L16, имеющая плотность 4 Мбит.
Источник: Ramtron International