Стэнфорд Овшинский (Stanford Ovshinsky), один из основателей и главный технолог компании Energy Conversion Devices (ECD), 31 августа покинул бизнес, рассчитывая уделять больше внимания исследовательской работе. Напомним, Овшинский заложил основы памяти с произвольным доступом, построенной на эффекте перехода вещества из одного фазового состояния в другое (Phase-change Random Access Memory, PRAM). Разработки, выполненные им в шестидесятые годы прошлого века, стали фундаментом технологии, которой прочат лавры универсальной памяти будущего, способной заменить одновременно оперативную память и флэш-память.
Хотя Energy Conversion Devices проводит соответствующие исследования вот уже более сорока лет, разработка пока не была воплощена в коммерческих продуктах. Вместе с тем, известно, что Intel и STMicroelectronics в последние годы вели совместные проекты с Ovonyx, дочерним предприятием ECD, и недавно Intel обнародовала планы поставок памяти, использующей эффект фазового перехода, уже в этом году.
Овшинский, которому в этом году исполняется восемьдесят четыре года, так прокомментировал свое решение: «Я хочу снова полностью погрузиться в исследовательскую деятельность, концентрируясь на дальнейшей разработке аморфных материалов и материалов с неупорядоченной структурой, и будущих разработках в области энергии и информации. Я горжусь тем, чего достигла ECD и ожидаю, что компания продолжит расти и процветать в грядущие годы».
Область деятельности ECD не ограничивается разработками PRAM. Компания известна своими исследованиями области альтернативных источников электроэнергии, никель-металлогидридных батарей, оптических носителей информации. Сам Овшинский имеет более 350 патентов и является автором сотен публикаций на самые разные темы - от нейрофизиологии до аморфных полупроводников.
Источник: ECDa>