Компания Intel обнародовала планы внедрения в массовое производство встраиваемой флэш-памяти типа NOR (embedded NOR) норм 65 нм. По словам крупнейшего производителя полупроводниковых приборов, переход к нормам 65 нм, поможет улучшить соотношение между стоимостью и производительностью продукции, и обеспечить более продолжительный жизненный цикл товара, что является немаловажными достоинствами для изготовителей комплектного оборудования (OEM), работающих на рынке встраиваемых систем.
Ассортимент NOR-продукции Intel для соответствующих сегментов рынка включает память с параллельной и последовательной организацией. Память Intel StrataFlash Embedded Memory (P30/P33) обеспечивает хранение в одном чипе программы и данных, сочетает высокую плотность и производительность с минимальной удельной стоимостью. Память Intel Embedded Flash Memory (J3 v.D), благодаря совместимости с предшествующими разработками, предлагает простой способ модернизации существующих проектов. Ставшая практически, отраслевым стандартом память Intel Serial Flash Memory (S33), за сет применения последовательного интерфейса упрощает разработку плат и сокращает их размеры. Она предназначена для широкого круга применений, включая телевизоры, проигрыватели DVD, ПК, модемы и принтеры.
Продукты Intel, относящиеся к категории embedded NOR, выпущенные по нормам 65 нм, должны появиться на рынке в первой половине 2008 года.
Напомним, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) на днях объявила об освоении в серийном производстве встраиваемой флэш-памяти норм 0,13-мкм.
Источник: Intel