Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о начале использования в серийном производстве техпроцесса для выпуска 0,13-мкм встраиваемой флэш-памяти (embedded flash). Таким образом, TSMC стала первой среди компаний, занятых исключительно производством полупроводниковой продукции, освоившей серийный техпроцесс встраиваемой флэш-памяти, полностью совместимый с техпроцессом производства логических схем.
При изготовлении 0,13-мкм встраиваемой флэш-памяти используются такие же самые ячейки памяти, как в предыдущем поколении продукции, что упрощает процесс миграции к новым нормам, утверждает TSMC. Заявлена полная совместимость с базовым техпроцессом TSMC, используемым для выпуска универсальных логических схем по нормам 0,13 мкм (G) и его вариацией, оптимизированной для выпуска приборов с пониженным энергопотреблением (LP). Таким образом, заказчики могут оптимально воспользоваться своими вложениями в библиотеки компонентов и разработки в области интеллектуальной собственности (IP).
По словам Сэм Чена (Sam Chen), директора TSMC по маркетингу платформ памяти, низковольтный вариант продукции отлично подходит для приборов ZigBee/Wibree, беспроводных гарнитур, слуховых аппаратов, смарт-карт и других приложений, в которых востребовано сверхмалое энергопотребление при напряжении питания 1,2-1,5 В.
Источник: TSMC