Продолжают поступать интересные сообщения с проходящего в эти дни Пекинского форума Intel для разработчиков (IDF). На этот раз – о готовящихся к массовому производству запоминающих устройствах, использующих эффект локального фазового перехода. Эти прототипы, известные под кодовым именем Alverstone, будут созданы с соблюдением норм 90-нм техпроцесса, а их плотность составит 128 Мбит.
Будучи первым PRAM-устройством Intel, Alverstone позиционируется как альтернатива NOR флэш-памяти. Некогда лидировавшая не только в сегменте NOR, но и на всем рынке флэш-памяти, сегодня Intel занимает второе место по поставкам NOR флэш-памяти после Spansion.
Очевидно, что на Alverstone в Intel возлагают достаточно большие надежды. Возможно, что не зря: если поверить словам технического директора (а точнее – CTO или Chief Technology Officer) Intel Джастина Раттнера (Justin Rattner), чип обеспечивает в шесть раз большую скорость записи по сравнению с NOR флэш-памятью и обеспечивает гораздо большее время жизни – не менее миллиона циклов перезаписи. Напомним вкратце, что в PRAM для записи состояний «0» и «1» используются разные фазовые состояния локальных областей – кристаллическое и аморфное, между которыми возможно переключение с помощью электрических импульсов.
Технология «фазовой» памяти PRAM, наряду с FeRAM (сегнетоэлектрической) и MRAM (магниторезистивной), претендует на роль замены DRAM (оперативной) и флэш-памяти. Тем более что для последнего типа памяти есть фундаментальные ограничения по масштабируемости: по оценкам экспертов, флэш-память будет попросту невозможно производить по нормам менее 45 или 35 нм. Пока что быстрее всех развиваются технологии MRAM – в прошлом году компания Freescale выпустила на рынок коммерческие решения плотностью 4 Мбит.
По словам Раттнера, ближайшие цели Intel являются достаточно скромными – предложить PRAM в качестве альтернативы NOR флэш-памяти. Однако, в компании рассматривают 128-Мбит чип как «пробный камень», который, во-первых, позволит «обкатать» новую технологию, а, во-вторых, обозначит преимущества и недостатки нового типа памяти. В дальнейшем, возможно, PRAM будет предлагаться как альтернатива DRAM.
Источник отмечает, что новинка, скорее всего, является плодом совместной работы Intel с STMicroelectronics, начатой в середине прошлого года (кстати, обе компании являются держателями лицензии Ovonyx) и о результатах которой компании докладывали на симпозиуме VLSI. У STMicro также имеется в активе 128-Мбит прототип, созданный по 90-нм технологии, однако, в отличие от Intel, компания не намерена начинать его массовое производство до готовности 45-нм производственных технологий. Очевидно, из соображений экономической выгоды, которая для 45-нм норм будет, естественно, выше. Однако, как мы недавно сообщали, переход на 45-нм нормы, возможно, будет для многих отнюдь не скорым.
Тем временем на пятки Intel и STMicroelectronics вовсю наступают IBM, Macronix и Qimonda, сообщивших в ходе симпозиума VLSI о создании устройства «фазовой» памяти, работающего в 500 раз быстрее флэш-памяти. Но пока что этот проект находится на начальной научно-исследовательской стадии и очень далек от воплощения.