Тайваньский контрактный производитель полупроводниковых чипов Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) сообщил, что намеревается закончить все приготовления к серийному производству по нормам 45 нм к началу сентября текущего года. Новый техпроцесс объединяет 193-нм иммерсионную литографию; технологию «напряженного кремния», позволяющую повысить быстродействие; и применение диэлектриков со сверхнизким значением диэлектрической проницаемости (extreme low-k, ELK).
Как и ожидалось, на первом этапе TSMC будет выпускать низковольтные варианты 45-нм чипов. По плотности размещения элементов новые изделия вдвое превзойдут те, которые производятся по нормам 65 нм. Существенно будет снижено энергопотребление чипов и удельная стоимость их производства. Особенно важен выигрыш по этим критериям для однокристальных систем, предназначенных для сотовых телефонов, проигрывателей, КПК и других мобильных устройств.
Разновидности техпроцесса, оптимизированные для выпуска микросхем общего назначения и высокопроизводительных изделий, также позволяют достичь, по меньшей мере, удвоенной плотности размещения элементов. Повышение быстродействия по сравнению с предыдущим поколением чипов должно превысить 30% при сопоставимой мощности утечки, что особенно важно для ПК, сетевого и коммуникационного оборудования.