Новое изделие изготавливается по техпроцессу CMOS, разработанному в Texas Instruments, с применением норм 130 нм. В основе FRAM (энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом) – улучшенная архитектура ячейки, созданная специалистами Ramtron International, занимающей ведущее положение в области разработки соответствующих технологий.
По утверждению производителя, представленные микросхемы имеют максимальную на данный момент плотность – 4 Мбит. Изделие, получившее обозначение FM22L16, питается от одного источника напряжением 2,7-3,6 В, имеет параллельный интерфейс и выпускается в 44-контактном корпусе типа TSOP. Среди преимуществ новинки, обуславливаемых особенностями технологии FRAM, компания называет высокое быстродействие, практически неограниченное количество циклов чтения и записи, малое энергопотребление. По расположению и назначению выводов новинка совместима с микросхемами асинхронной статической памяти с произвольным доступом (SRAM), поэтому, прежде всего, она ориентирована на применение в конструкциях, где применяется SRAM, в том числе, в контроллерах, сетевом оборудовании, устройствах для хранения данных, МФУ, навигаторах.
Логическая организация FM22L16 - 256K x 16. Время доступа – 55 нс, длительность цикла – 110 нс. Запись и чтение выполняется со скоростью шины, без каких-либо задержек. Заявленное количество циклов перезаписи – не менее 100 триллионов. Время хранения данных в отсутствие напряжения питания составляет 10 лет. По скорости работы и энергопотреблению новая память превосходит память типа SRAM. Так, в режимах чтения и записи она потребляет 18 мА, в режиме энергосбережения – 5 мкА.
Пока доступны ознакомительные образцы FM22L16. Ограниченные поставки запланированы на третий квартал, а массовый выпуск должен начаться в четвертом квартале. Цена изделия - 19 долларов за штуку в партии из 10000 штук.
Источник: Ramtron International