Корпорация Intel объявила о намерении инвестировать от 1 до 1,5 миллиардов долл. в модернизацию своих производственных мощностей в Рио-Ранчо. После переоборудования фабрика Fab 11X будет выпускать микросхемы по 45-нанометровой производственной технологии Intel следующего поколения. В соответствии с существующим графиком перехода на 45-нм техпроцесс фабрика Fab 11X станет четвертой производственной площадкой Intel, на которой микросхемы будут выпускаться по новой технологии. Ввод в эксплуатацию новых производственных мощностей в Нью-Мексико намечен на вторую половину следующего года.
45-нм производственная технология Intel – одна из важных вех на пути усовершенствования структуры транзисторов за последние 40 лет. Этот производственный процесс подразумевает использование металлического затвора и диэлектриков high-k – такое инновационное сочетание новых материалов позволяет существенно снизить токи утечки и сократить время переключения транзисторов. Корпорация Intel начнет выпускать микросхемы по новой 45-нанометровой производственной технологии уже в этом году, используя новые диэлектрики high-k (с более высоким значением диэлектрической проницаемости) и новое сочетание металлов для изготовления электрода затвора, что в очередной раз подтверждает ее лидирующее положение в полупроводниковой промышленности. Опытные образцы нового семейства продукции, изготовленной по 45-нм технологии (под кодовым наименованием Penryn), уже работоспособны - на них успешно были запущены несколько различных операционных систем и приложений. Как и было запланировано ранее, корпорация Intel намерена начать массовый выпуск продукции на основе 45-нанометровой производственной технологии во второй половине текущего года.
Выпуск продукции Intel по новой 45-нанометровой производственной технологии начнется на опытно-экспериментальной фабрике D1D в Орегоне. Сейчас Intel строит еще две фабрики, рассчитанные на использование 45-нанометрового производственного процесса. Строительство Fab 32 в Чэндлере, шт. Аризона, обойдется в 3 миллиарда долл., ее запуск состоится уже в текущем году. В строительство Fab 28 в Кирьят-Гате (Израиль) вложено 3,5 миллиарда долл., открытие этой фабрики запланировано на первую половину следующего года.
Сейчас Fab 11X выпускает микросхемы по 90-нм технологии на базе кремниевых подложек диаметром 300 мм. Эта фабрика была открыта в октябре 2002 года и стала первой фабрикой Intel, на которой было освоено массовое производство микросхем на базе подложек диаметром 300 мм. Кроме того, эта фабрика также стала первым полностью автоматизированным крупносерийным производством Intel по выпуску 300-мм кремниевых подложек.
Источник: Intel