После того, как Intel объявила о скором своём отказе от двуокиси кремния в пользу диэлектриков с большой диэлектрической постоянной (high-k) при производстве процессоров по 45-нм нормам, конкуренты решили выложить на стол и свои карты.
IBM и AMD вместе со своими партнерами по разработке, Sony и Toshiba, презентовали свою новую технологию, использующую high-k диэлектрики и транзисторы с металлическим затвором.
Сочетание диэлектрика затвора на основе материала high-k и металлических электродов обеспечивает увеличение управляющего тока более чем на 20% и соответствующее повышение производительности транзисторов. В то же время более чем в 5 раз сокращается утечка тока от истока к стоку, т. е. снижается энергопотребление транзистора. Так как новые транзисторы меньше своих предшественников, то для их включения и выключения необходимо меньше электроэнергии, что позволяет снизить активное напряжение переключения приблизительно на 30%.
IBM объявила что её собственное производство по 45-нм технологии с использованием high-k диэлектриков начнется в 2008 года на фабрике, расположенной в штате Нью-Йорк.
Сентенции по поводу того, какое значение будет иметь новая технология для продления жизни Закона Мура мы опустим. Желающие оценить масштабность события могут прочесть наш материал, посвященный презентации аналогичной технологии Intel.
Источник: DigiTimes