Несмотря на свой успех в области EUV-литографии, ASML решила не исключать из планов будущих разработок оборудование, использующее 193-нм источники света – компания включила в них 193-нм иммерсионные сканеры с двойной экспозицией. Более того, источник сообщает, что ASML называет такие инструментами единственным литографическим решением, которое будет доступно для массового производства к 2008-2009 годам.
В ходе ежегодного симпозиума Annual Bacus Symposium компания расскажет о технологиях двойной экспозиции, позволяющих продлить жизненный цикл 193-нм литографии за порог норм 45 нм. По оценкам экспертов, ограничивающим фактором для иммерсионной литографии с использованием источников света длиной волны 193 нм является показатель преломления воды в 1,44. Соответственно, минимально достижимые нормы для таких устройств оцениваются в 45 нм. Однако, в ASML полагают, что 193-нм иммерсионные инструменты можно будет использовать для производства логических ИС с соблюдением норм 32-нм и для микросхем памяти – 40-нм техпроцесса.
Жесткий ультрафиолет (EUV) предполагается использовать лишь для норм 32-нм технологического процесса и всего, что будет после. Учитывая, что нормы 32 нм начнут внедрять примерно в 2008-2009 годах, для которых, как утверждает источник со ссылкой на ASML, иммерсионные сканеры с двойной экспозицией будут «единственным решением», то можно ожидать, что именно этой технологии должна будет составить конкуренцию EUV-литография. Кстати, их стоимость будет сопоставима со стоимостью EUV-решений – 193-нм литографический инструмент с двойной экспозицией обойдется в 30-40 млн. долларов, в то время как EUV – 40-50 млн. долларов.