По сообщению тайваньского сайта DigiTimes, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) произведено тестирование подложек, изготовленных с применением 45-нм технологического процесса, принесшее удовлетворительные результаты.
В ближайшее время начнется совместная деятельность TSMC и Freescale Semiconductor по разработке 32-нм техпроцесса. В качестве участников разработки также выступят STMicroelectronics и Philips, а опытное производство планируется начать на заводе Fab Crolles2, расположенном во Франции.
Напомним, что TSMC, в отличие от Intel, внедряет иммерсионные инструменты для производства по 45-нм нормам, они же планировались применяться и для 32-нм техпроцесса.
Сейчас 45-нм процесс TSMC содержит 10 металлизированных слоев, длина затвора не превышает 26 нм. Проводники выполняются из меди, в области затвора создается тройной слой оксида кремния, используется "напряженный кремний" (strained silicon) и новое поколение диэлектриков с малой диэлектрической постоянной (low-k). Для выпуска микросхем с соблюдением норм 45-нм техпроцесса используются 193-нм иммерсионные литографические инструменты производства ASML. Диэлектрическая проницаемость low-k пленки составляет 2,5-2,6. Для сравнения, в 90-нм и 65-нм процессах используются low-k диэлектрики с диэлектрической постоянной 2,9-3,0. Пленки напыляются по технологии Applied Materials Black Diamond.
Источник: DigiTimes