Группа исследователей из Университета Фудань в Шанхае разработала сверхбыстрое энергонезависимое запоминающее устройство пикосекундного уровня.
Чип под названием PoX (Phase-change Oxide) способен переключаться со скоростью 400 пикосекунд, что существенно превышает предыдущий мировой рекорд в 2 миллиона операций в секунду.
Привычной флеш-памяти нужны в лучшем случае микросекунды для записи данных в ячейки, и даже энергозависимая память SRAM или DRAM делает это за наносекунды. В данном же случае результаты на порядки лучше, если сравнивать с флеш-памятью, да и на фоне DRAM всё очень быстро.
Китайские учёные полностью перестроили структуру флэш-памяти и вместо традиционного кремния они использовали двумерный графен Дирака, известный своей способностью позволять зарядам быстро и свободно перемещаться.
Пока неясно, какие у памяти коммерческие перспективы, однако команда учёных активно сотрудничает с различными производственными партнерами на протяжении всего процесса разработки.