Группа исследователей из всемирно известного Массачусетского технологического института (MIT) обнаружила, что кубический арсенид бора обладает лучшими свойствами, чем кремний, для изготовления микрочипов, назвав его «лучшим полупроводниковым материалом из когда-либо обнаруженных». Примечательно, что в команду, сделавшую открытие, также входил учёный китайского происхождения, ранее подозреваемый в шпионаже в пользу Китая.
Согласно исследованию, кубический арсенид бора в десять раз эффективнее кремния проводит тепло. А ещё лучше проводит как электроны, так и дырки (дырка — квазичастица, носитель положительного заряда, равного элементарному заряду, в полупроводниках) — это особенно важно для свойств полупроводника. Такие материалы, как арсенид бора, могут изменить «правила игры» в промышленности.
В состав исследовательской группы входил Ган Чен, бывший глава инженерного отдела Массачусетского технологического института, который в течение года находился под следствием по подозрению в шпионаже, после чего Министерство юстиции США сняло обвинения за отсутствием улик.
Вполне возможно, что пройдут десятилетия, прежде чем чипы на основе арсенида бора станут коммерчески доступными — если технология вообще будет признана пригодной для использования. Тем не менее предполагается, что материал можно использовать для производства более качественных, быстрых и компактных чипов, чем сегодня.
Ган Чен был арестован в январе 2021 года. Его обвиняли в сокрытии связей с китайскими властями. Научное сообщество, в том числе учёные из Массачусетского технологического института, раскритиковали арест и написали открытое письмо. При президенте Джо Байдене министерство юстиции сняло все обвинения.
Учёные подчеркивают, что такая «охота на ведьм» отпугивает исследователей, особенно из Китая, от переезда в США, из-за чего США не могут использовать интеллектуальный потенциал.