Российские ученые смогли изучить распределение электрического потенциала внутри сегнетоэлектрического конденсатора — основы памяти будущего

Раньше представления о распределении были только теоретическими

Группа специалистов из лаборатории функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ, работая совместно с коллегами из Германии и США, совершила прорыв на пути к созданию новой энергонезависимой памяти.

Команда ученых, проводивших эксперимент, возле установки высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии на синхротроне PETRA III, Гамбург. Слева направо: Андрей Глосковский, Юрий Матвеев, Дмитрий Негров, Виталий Михеев и Андрей Зенкевич.

Ученым из МФТИ удалось разработать уникальную методику измерения распределения электрического потенциала внутри так называемого сегнетоэлектрического конденсатора, который является ключевым элементом перспективной энергонезависимой памяти, и опробовать ее на сегнетоэлектрических конденсаторах, изготовленных в МФТИ. Ранее исследователи оперировали только математическими моделями.

Ожидается, что новая память будет на порядок быстрее флеш-памяти, а по ресурсу превзойдет ее миллион раз.

Автор:

| Источник: Пресс-служба МФТИ

Все новости за сегодня

Календарь

ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс